1.集成電路阻擋層；2.PMOS器件的跡電極材料；3.動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM和鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM中電容的電極材料；4.應(yīng)用在磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM中；5.硬盤(pán)記錄層不可或缺的底層材料。

• 氧化鎂具有高溫?zé)岱€(wěn)定性、高介電性、低介電損耗及多種襯底晶格匹配良好等優(yōu)點(diǎn)，是作為存儲(chǔ)芯片的主要原料之一。
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• MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其主體結(jié)構(gòu)由三層結(jié)構(gòu)的磁隧道結(jié)構(gòu)成：自由層，固定層和氧化層，其原理是通過(guò)改變固定層和自由層的磁矩方向性實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中自由層的材料是CoFeB。

• 鎂是近年來(lái)可以制備并能夠在自然環(huán)境中長(zhǎng)期保存的輕質(zhì)金屬，金屬鎂在各個(gè)行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，很多國(guó)防產(chǎn)品、民用產(chǎn)品都在不同程度上用到了金屬鎂Mg靶材是作為存儲(chǔ)芯片的主要原料之一。

• 用于制備N(xiāo)iPt-硅化物觸頭，該觸頭是45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后最常用的硅化物。被應(yīng)用于肖特基二極管(SBD)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件(CMOS)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和集成電路等領(lǐng)域。